საკუთარი და მინარეული დეფექტების კონცენტრული წონასწორობა ფართოზონიან ნახევარგამტარებში Ga2O3:Mg მაგალითზე

გალიუმის ოქსიდი Ga2O3 5ევ აკრძალული ზონით დღეისათვის ცნობილი ყველაზე ფართოზონიანი ნახევარგამტარია. ზონის სიდიდის და მასთან დაკავშირებული დიდი გარღვევის ძაბვის გამო, იგი ძალიან პერსპექტიული მასალაა ოპტოელექტრონიკისა და ძალური ელექტრონიკისთვის. გალიუმის ოქსიდს, სხვა ნახევარგამტარული ოქსიდების მსგავსად ახასიათებს კარგი n-ტიპის გამტარობა, თუმცა დაბალ-ომიანი p-ტიპის მიღება დღემდე სიძნელეებთან არის დაკავშირებული. ჩვენ თეორიულად შევისწავლეთ Ga2O3:Mg სისტემაში გამტარობის მართვის შესაძლებლობები, თერმოდინამიკური პარამეტრების - ტემპერატურისა და კომპონენტების წნევის ცვლილების საშუალებით მინარევის (მაგნიუმის) სხვადასხვა კონცენტრაციისთვის. თერმოდინამიკური ანალიზისთვის გამოვიყენეთ კროგერის კვაზი-ქიმიური რექაციების მეთოდი. ეს უკანასკნელი გვაძლევს შესაძლებლობას განვსაზღვროთ მუხტის მატარებლებისა და გამტარობაზე პასუხისმგებელი დეფექტების კონცენტრაციები, როგორც ტემპერატურისა და წნევის ფუნქცია, და, შემდეგ, ვიპოვოთ მათი ოპტიმალური მნიშვნელობა.