მზის ელემენტების დამზადების არატრადიციული ტექნოლოგიის დამუშავება

ავტორი: თორნიკე გოგრიჭიანი
საკვანძო სიტყვები: მზის ელემენტის მუშაობის პრინციპი, Ni როგორც გეტერული მასალა და მისი როლი ნახევარგამტარში, იმპულსური ფოტონური დასხივება
ანოტაცია:

წარმოდგენილი ნაშრომი ეძღვნება თანამედროვე ელექტრონიკის ისეთ უაღრესად აქტუალურ სფეროს, როგორიცაა მზის ენერგეტიკა და ასევე მაღალეფექტური ფოტოსენსორების შექმნა. აღნიშნული ამოცანის გადაწყვეტისთვის ჩვენს მიერ შესწავლილი იქნა P-Si-ში P და Ni დიფუზიით მიღებული Ni-ის შემცველი კლასტერების გავლენა მზის ელემენტების ეფექტურობაზე. P და Ni-ის დიფუზია ხორციელდება იმპულსური ფოტონური დასხივებით და შედარებისთვის თერმული გახურებით. PPI-ის დროს ნახევარგამტარებში, სინათლის შთანთქმის პროცესში, თერმული გახურების გარდა არსებობს რიგი სხვა მნიშვნელოვანი ფაქტორები, როგორიცაა მაგალითად გენერირებული ანტიდამაკავშირებელი ელექტრონ-ხვრელური წყვლების კონცენტრაცია, სელექტიური შთანთქმა მინარევებსა და დეფექტებზე, მათი მუხტური მდგომარეობის ცვლილება და სხვა. ეს ფაქტორები ჩვენი აზრით მნიშვნელოვან როლს ასრულებს ფოტოსტიმულირებული დიფუზიის პროცესში. შედეგად ჩვენს მიერ PPI მეთოდით Si-ის ბაზაზე მიღებულ იქნა მზის ელემენტები რომელთა მარგი ქმედების კოეფიციენტი 4%-ით აღემატებოდა თერმული დიფუსიით მიღებულ მზის ელემენტებს.