გარდამავალ მეტალთა ზეთხელი ოქსიდური ფირების დაფენის ტექნოლოგიის დამუშავება

წინამდებარე სადიპლომო ნაშრომში განხილულია გარდამავალი მეტალის ჰაფნიუმის სრული და არასრული ოქსიდების, არგონისა და ჟანგბადის სხვადასხვა პარციალურ წნევებზე მიღებისა და კვლევის ტექნოლოგიური პროცესები. შემუშავებულია ოქსიდების ფორმირების დაბალტემპერატურული მაგნეტრონული გაფრქვევის ტექნოლოგიური პროცესები, რომლებიც მიმდიდარეობდა მოდერნიზებულ ვაკუუმურ დანადგარზე, ერთ პროცესში ვაკუუმის დარღვევის გარეშე. დანადგარი იძლეოდა საშუალებას მომხდარიყო ცალ-ცალკე ორი სხვადასხვა ოქსიდური ფირების დაფენები ვაკუუმის დარღვევის გარეშე. ოქსიდები ეფინებოდა განმხოლოებით და განსაზღვრული პირობებით სილიციუმის და საფირონის საფენებზე, ოქსიდების სხვადასხვა პარამეტრების გაზომვის მიზნით. შემუშავდა ოქსიდების ფორმირებისთვის შესაბამისი ტექნოლოგიური მარშრუტი და დადგინდა ოპტიმალური პროცესები. განისაზღვრა ელექტრო-ფიზიკური, დიელექტრიკული და ოპტიკური პარამეტრები. მათ საფუძველზე განისაზღვრა ტექნოლოგიური მარშრუტი მემრისტორული სრტუქტურის ფორმირებისთვის. შეჯამდა შესაბამისი გაზომვის შედეგები და გაკეთდა დასკვნები, რომელთა საფუძველზე დადგინდა შექმნილი სტრუქტურის მაღალი ხარისხი და მიკრო და ნანოხელსაწყოებში მათი გამოყენების პერსპექტიულობა.