ზეთხელი დიელექტრიკული ფირების დაფენის ტექნოლოგიის დამუშავება

ავტორი: ბექა მელუა
საკვანძო სიტყვები: ზეთხელი დიელექტრიკი; ჰაფნიუმი; მაგნეტრონული დაფრქვევა; ველის ტრანზისტორი; ჩამკეტქვეშა დიელექტრიკი.
ანოტაცია:

მიკრო და ნანოელექტრონული ხელსაწყოების და სტრუქტურების ძირითად ელემენტს წარმოადგენს ზეთხელი დიელექტრიკი, რომლის მიმართ განსაკუთრებული მოთხოვნებია წაყენებული. ის უნდა იყოს: ზეთხელი, უდეფექტო, დიდი დიელექტრიკული შეღწევადობით და გარღვევის ძაბვით და ა.შ. ასეთ პირობებს ყველაზე უფრო მეტად აკმაყოფილებს გარდამავალ მეტალთა ოქსიდები, მათ შორის ჰაფნიუმის ოქსიდი. ჰაფნიუმს აქვს შიდა d-შრე შეუვსებელი და ავლენს სხვა მასალებთან ნაერთში ცვლად ვალენტოვნებას, ამიტომ ბოლო ხანს მის მიმართ მკვლევარები ავლენენ განსაკუთრებულ ინტერესს. ოქსიდების მიღების თანამედროვე ტექნოლოგია მაღალტემპერატურულია, რაც იწვევს მასში დეფექტების გაჩენას და გარღვევის ძაბვის შემცირებას. განხილულია ჰაფნიუმის ოქსიდის ფორმირების დაბალტემპერატურული, მაგნეტრონული გაფრქვევის ტექნოლოგიური პროცესი, გამოკვლეულია მისი ოქსიდური ფირის ელექტრო–ფიზიკური და დიელექტრიკული პარამეტრები. დასმულია მიზანი და გაკეთებულია ცალკეული ტექნოლოგიური პროცესების შინაარსობრივი განხილვა. შექმნილია ტექნოლოგიური მარშრუტი მისი ველის ტრანზისტორში ჩამკეტქვეშა დიელექტრიკად გამოყენების მიზნით. შემუშავებულია ფირის მიღების ოპტიმალური პარამეტრები. ნაჩვენებია, რომ აღნიშნული ტექნოლოგიით მიღებული ოქსიდური ფირები შეიძლება გამოყენებულ იქნან მიკრო და ნანოხელსაწყოების წარმოებაში.