მიკროსქემის ელემენტების მიღების ტექნოლოგიის შესწავლა

ავტორი: გიორგი გაგნიძე
საკვანძო სიტყვები: ორჩამკეტიანი ველის ტრანზისტორი, მიკროსქემის ელემენტები, დიელექტრიკული ფირები
ანოტაცია:

ნაშრომში განხილულია ნახევარგამტარული ხელსაწყოებისა და ინტეგრალური მიკროსქემების (იმს) დამზადების ტექნოლოგია. ეს ტექნოლოგია შეიცავს რთულ და მრავალრიცხოვან პროცესებს, რისთვისაც საჭიროა იმს-ს ისეთი ელემენტების, როგორიცაა ტრანზისტორის, კონდენსატორის და რეზისტორის ფორმირებისთვის ცალკეული პროცესების შესწავლა და გაანალიზება. ამიტომ ნაშრომში მოცემულია ინტეგრალური სქემების კლასიფიკაცია მათი მიღების ტექნოლიოგიის და გამოყენების მიხედვით. შინაარსობრივად განხილულია მიკროსქემის შექმნის ფოტოლიტოგრაფიული და დიფუზიური ტექნოლოგიური პროცესების თავისებურებანი, მოყვანილია შესაბამისი ოქსიდური ფირების ფორმირების ტექნოლოგიები და მეტალიზაციის საკითხები. შესწავლილია იმს-ში გამოყენებული დიელექტრიკების (ნიღაბისა და ჩამკეტქვეშა) ელექტრო-ფიზიკური და ოპტიკური პარამეტრტები. მოყვანილია ორჩამკეტიანი ველის ტრანზისტორის მიღების მაგალითზე ინტეგრალური მიკროსქემის შექმნის პრინციპი და მოცემულია მისი ვოლტ-ამპერული მახასიათებლიდან გამოთვლილი პარამეტრები.